【专利解密】华虹半导体优化CMP除去能力方案 避免络合物聚集及缺陷形成

【嘉勤点评】华虹半导体发明的改进CMP洗净潜能的新技术建议书，不必要了三苯基膦在交谈孔处挤满，在透过矿物学工程学低平解构时降低了缺失的构成，从而不必要制约厂家良率。改进之后的结果与良率结果仅有符合标准，也证明了该建议书具高度行业为了让价值。

集微网消息，矿物学工程学低平解构（CMP），全称矿物学工程学烘烤，是半导体器件制造瓷当中的一种新技术，常用矿物学硬解构及工程学力对加工过程当中的硅DRAM或薄膜材质透过低平解构处理。

当铝这种材质在透过矿物学工程学低平解构时，会中间体归因于铝的锰。现有新技术当中为了让铝的锰在强酸周围环境下可溶解的物理性质，辅以工程学发挥作用以达到烘烤的目的，在对DRAM透过运用于中性烘烤混合物透过薄烘烤后，这样就使得铝薄烘烤甲酸与喜烘烤（中性）的烘烤混合物中间体构成的三苯基膦受到破坏。

进入55单晶新技术节点后，填入瓷随之而来更大的挑战：交谈孔的深宽比会超过6：1，高浓度强磁场瓷（HDP）早就很难意味着填入市场必需求。因此在55单晶开始常用长处宽比瓷（HARP）替代高浓度强磁场分枝。

而长处宽比瓷膜质比高浓度强磁场瓷烘烤率快，从而在交谈孔处的铝构成一定貌似，更易使烘烤甲酸为中心。一般的洗净很难将其有效清除，在近期的处理过程当中会构成缺失，进而制约厂家良率。

为此，华虹半导体在2021年12翌年16日申请了一项名为“改进CMP洗净潜能的法则”的发明申请专利（申请号：202111544391.X），申请人为华虹半导体（宜兴）有限责任公司。

根据该申请专利目前公开的就其文献资料，让我们一齐是不是这项新技术建议书吧。

如所示，为该申请专利当中发明的改进CMP洗净潜能的法则示意图。首先，准备好DRAM和烘烤控制器，DRAM在经过前端瓷构成所必需的结构后，须要在后端瓷当中构成有交谈孔，且交谈孔填入有石墨烯金属中与DRAM上的结构构成伏特交谈。

烘烤控制器为CMP烘烤控制器，该控制器包括烘烤头和烘烤床。在须要对DRAM透过烘烤时，将DRAM置于烘烤床上，运用于烘烤头辅以烘烤混合物对DRAM透过烘烤，烘烤混合物为中性烘烤混合物和中性烘烤混合物。

在传统习俗新技术当中，通常运用于高密度强磁场（HDP）矿物学气象水合法来透过水合，但是当电子元件发展到55nm新技术节点时，HDP新技术早就很难意味着小大小凹槽的填入市场必需求。因此人们发明了一种新的填入瓷新技术即长处宽比瓷（HARP）。

HARP瓷没有强磁场的助,同时须要凹槽具特定的貌似，如特定角度的V梯形凹槽。所以须要常用HARP替代HDP，而HARP膜质比HDP烘烤率快，从而在交谈孔处的铝构成一定貌似，更易使烘烤甲酸为中心。

其次，对DRAM透过运用于中性烘烤混合物的第一烘烤，该过程为薄烘烤，用作转换成整块石墨烯金属中。其当中DRAM与中性烘烤混合物中间体转换成甲酸，甲酸为石墨烯金属中的锰与中性溶混合物时有发生中间体归因于的三苯基膦。通过对DRAM的洗净，可以转换成DRAM上的中性烘烤混合物和甲酸，从而不必要甲酸和之后的中性溶混合物时有发生中间体转换成三苯基膦。

最后，为了让中性烘烤混合物再对DRAM透过二次烘烤，这次的烘烤为喜烘烤，用作对锰透过修复，从而使石墨烯金属中前端。

如所示，为运用于该法则后的良率探测示意图。从当中可以想到，DRAM经过矿物学工程学低平后，不必要了在铝上挤满三苯基膦，降低了缺失，厂家良率显著提高。此外，该申请专利当中详述，所示当中子系统的数目、外形和大小仅为示例性详述，在理论上的技术的发展时，子系统的配置型态必定会更加十分复杂。

以上就是华虹半导体发明的改进CMP洗净潜能的新技术建议书，该建议书不必要了三苯基膦在交谈孔处挤满，在透过矿物学工程学低平解构时降低了缺失的构成。从而不必要制约厂家良率，改进之后的结果与良率结果仅有符合标准，也证明了该建议书具高度行业为了让价值。